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4H 导电型
SiC单晶衬底
4H n-type
当前位置 > 4H-导电型碳化硅单晶衬底
抖圈- 为du而生不断追求更高的晶体质量和加工质量
更好的满足客户的需求
目前可批量供应6英寸和8英寸导电型产品
*更加详细的产品信息欢迎咨询营销团队
>联系抖圈
基本信息
导电型
晶型
4H
直径(mm)
150/200
偏角(°)
4
厚度(μm)
350/500
表面状态
Epi-ready
电力电子器件
通过在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层,制得碳化硅同质外延片,可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件,应用在新能源汽车,轨道交通以及大功率输电变电等领域。
高亮度LED
碳化硅与氮化镓的热失配和晶格失配。庋硬阒柿亢,并且碳化硅具有良好的导热和导电能力,在大功率LED方面具有非常大的优势,采用碳化硅作为衬底的LED亮度高、能耗低、寿命长。
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